Id - непрерывный ток утечки: 120 mA, Pd - рассеивание мощности: 500 mW, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 30 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 200 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 5 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 8 ns, Время спада: 8 ns, Высота: 4.01 mm, Длина: 4.77 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 100 mS, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Продукт: MOSFET Small Signal, Размер фабричной упаковки: 4000, Серия: BS107, Технология: Si, Тип: FET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 16 ns, Типичное время задержки при включении: 7 ns, Торговая марка: Diodes Incorporated, Упаковка: Bulk, Упаковка / блок: TO-92-3, Ширина: 2.41 mm, Вес, г: 0.16, Бренд: DIODES INC.
