Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 6.73mm, Transistor Configuration: Single, Brand: DiodesZetex, Maximum Continuous Drain Current: 12.2 A, Package Type: DPAK (TO-252), Maximum Power Dissipation: 8.49 W, Mounting Type: Surface Mount, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 6.22mm, Maximum Gate Threshold Voltage: 3V, Height: 2.39mm, Maximum Drain Source Resistance: 61 m?, Maximum Drain Source Voltage: 40 V, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V, Transistor Material: Si, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V, Id - непрерывный ток утечки: 12.2 A, Pd - рассеивание мощности: 4.12 W, Qg - заряд затвора: 9.2 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 26 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 40 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 11.7 ns, Время спада: 9.5 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 19.6 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Продукт: MOSFET Small Signal, Размер фабричной упаковки: 2500, Серия: DMN40, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 11.6 ns, Типичное время задержки при включении: 3.2 ns, Торговая марка: Diodes Incorporated, Упаковка / блок: TO-252-3, Вес, г: 1.5, Бренд: DIODES INC.
