Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 4.4 A, Тип корпуса: DPAK (TO-252), Максимальное рассеяние мощности: 50 W, Тип монтаа: Поверхностный монта, Ширина: 6.22мм, Высота: 2.39мм, Размеры: 6.73 x 6.22 x 2.39мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 6.73мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задерки включения: 10 нс, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задерки выключения: 7 ns, Серия: UniFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 3V, Максимальное сопротивление сток-исток: 1.1 ?, Максимальное напряение сток-исток: 250 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 4,5 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 194 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряение затвор-исток: -30 V, +30 V, Вес, г: 0.907, Бренд: Fairchild Semiconductor
