Структура: p-канал, Максимальное напряение сток-исток Uси,В: 20, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.6, Максимальное напряение затвор-исток Uзи макс.,В: 8, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.042 Ом/6.6А, 4.5В, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.4, Крутизна характеристики, S: 16, Корпус: MicroFET-6(2X2), Пороговое напряение на затворе: -0.4…-1, Вес, г: 0.5, Бренд: Fairchild Semiconductor
