Pd - рассеивание мощности: 136 W, Вид монтаа: Through Hole, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряение затвор-эмиттер: 25 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1250 V, Напряение насыщения коллектор-эмиттер: 2.72 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 30 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 15 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 450, Серия: FGA15S125P, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 500 nA, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-3PN-3, DC Ток Коллектора: 30А, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Напряение Коллектор-Эмиттер: 1.25кВ, Напряение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 2.25В, Рассеиваемая Мощность: 136Вт, Стиль Корпуса Транзистора: TO-3PN, Вес, г: 6.401, Бренд: ON Semiconductor
