Pd - рассеивание мощности: 62.5 W, Вид монтаа: Through Hole, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряение насыщения коллектор-эмиттер: 1.9 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 40 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 360, Серия: FGAF20N60SMD, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-3PF, Длина: 15.7мм, Transistor Configuration: Одинарный, Производитель: ON Semiconductor, Максимальное напряение К-Э (коллектор-эмиттер): 600 В, Максимальный непрерывный ток коллектора: 40 A, Тип корпуса: TO-3PF, Максимальное рассеяние мощности: 75 Вт, Тип монтаа: Монта на плату в отверстия, Ширина: 3.2мм, Высота: 26.7мм, Число контактов: 3, Размеры: 15.7 x 3.2 x 26.7мм, Скорость переключения: 1МГц, Тип канала: N, Brand: ON Semiconductor, Maximum Collector Emitter Voltage: 600 В, Package Type: TO-3PF, Mounting Type: Монта на плату в отверстия, Width: 3.2мм, Height: 26.7мм, Pin Count: 3, Switching Speed: 1МГц, Channel Type: N, Вес, г: 7, Бренд: ON Semiconductor
