Конфигурация: half-bridge, Тип канала: независимый, Кол-во каналов: 2, Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET, Напряжение питания, В: 12…20, Логическое напряжение (VIL), В: 6, Логическое напряжение (VIH), В: 9.5, Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2, Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5, Тип входа: неинвертирующий, Максимальное напряжение смещения, В: 1200, Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25, Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17, Рабочая температура, °C: -55…+150 (TJ), Корпус: dip-14 (0.300 inch), Вес, г: 1.9, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
