Id - непрерывный ток утечки: 31 A, Pd - рассеивание мощности: 110 W, Qg - заряд затвора: 37 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 39 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 4 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 27 ns, Время спада: 13 ns, Высота: 2.3 mm, Длина: 6.5 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 33 S, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 2000, Технология: Si, Тип: HEXFET Power MOSFET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 40 ns, Типичное время задержки при включении: 12 ns, Торговая марка: Infineon / IR, Упаковка / блок: TO-252-3, Ширина: 6.22 mm, Вес, г: 0.4, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
