Id - непрерывный ток утечки: 81 A, Pd - рассеивание мощности: 63 W, Qg - заряд затвора: 10 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 8.5 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 25 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Высота: 2.3 mm, Длина: 6.5 mm, Другие названия товара №: SP001578788, Категория продукта: МОП-транзистор, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 2000, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка / блок: TO-252-3, Ширина: 6.22 mm, Вес, г: 0.6, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.