Pd - рассеивание мощности: 250 W, Вид монтажа: Through Hole, Высота: 21.46 mm, Длина: 16.26 mm, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: BIMOSFET, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 3 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.7 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 50 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 50 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 100 nA, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Ширина: 5.3 mm, California Prop 65: Warning Information, Current - Collector (Ic) (Max): 50A, Current - Collector Pulsed (Icm): 140A, ECCN: EAR99, Gate Charge: 105nC, HTSUS: 8541.29.0095, Input Type: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-247-3, Power - Max: 250W, REACH Status: REACH Unaffected, Reverse Recovery Time (trr): 1.35Вµs, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: BIMOSFETв„ў ->, Supplier Device Package: TO-247AD (IXBH), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000V, Вес, г: 2, Бренд: Ixys Corporation
