Id - непрерывный ток утечки: 24 A, Pd - рассеивание мощности: 650 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 400 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 800 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 27 ns, Время спада: 24 ns, Высота: 21.46 mm, Длина: 16.26 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HyperFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 25 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXFH24N80, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 75 ns, Типичное время задержки при включении: 32 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Ширина: 5.3 mm, Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C: 24A(Tc), Power Dissipation-Max (Ta=25В°C): 650W(Tc), Rds On - Drain-Source Resistance: 400mО© @ 12A,10V, Transistor Polarity: N Channel, Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 800V, Vgs - Gate-Source Voltage: 5V @ 4mA, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation
