Максимальная рабочая температура: +150 °C, Maximum Continuous Drain Current: 70 А, Package Type: ISOPLUS264, Максимальное рассеяние мощности: 625 Вт, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Width: 5.21мм, Высота: 26.42мм, Количество элементов на ИС: 1, Length: 20.29мм, Brand: IXYS, Series: PolarHVTM HiPerFET, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 5V, Minimum Gate Threshold Voltage: 3V, Максимальное сопротивление сток-исток: 52 м?, Maximum Drain Source Voltage: 500 В, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 240 нКл при 10 В, Channel Mode: Поднятие, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 В, +30 В, Прямое напряжение диода: 1.5V, Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Максимальный непрерывный ток стока: 70 А, Тип корпуса: ISOPLUS264, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Ширина: 5.21мм, Максимальное пороговое напряжение включения: 5V, Height: 26.42мм, Минимальное пороговое напряжение включения: 3V, Maximum Drain Source Resistance: 52 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 500 В, Номер канала: Поднятие, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -30 В, +30 В, Forward Diode Voltage: 1.5V, Id - непрерывный ток утечки: 70 A, Pd - рассеивание мощности: 625 W, Qg - заряд затвора: 240 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 52 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 500 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 29 ns, Время спада: 26 ns, Длина: 20.29 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 50 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 25, Серия: IXFL100N50, Технология: Si, Тип: PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS264, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 110 ns, Типичное время задержки при включении: 36 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-264-3, California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 70A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: ISOPLUS264в„ў, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 50A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: ISOPLUS264в„ў, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±30V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Вес, г: 8, Бренд: Ixys Corporation
