Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 38.23mm, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: IXYS, Maximum Continuous Drain Current: 38 А, Package Type: SOT-227B, Maximum Power Dissipation: 960 W, Серия: HiperFET, Q3-Class, Mounting Type: Монтаж на панель, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 25.07mm, Maximum Gate Threshold Voltage: 6.5V, Высота: 9.6мм, Maximum Drain Source Resistance: 220 m?, Maximum Drain Source Voltage: 1000 В, Pin Count: 4, Typical Gate Charge @ Vgs: 264 nC @ 10 V, Transistor Material: Кремний, Channel Mode: Поднятие, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -30 В, +30 В, Id - непрерывный ток утечки: 38 A, Pd - рассеивание мощности: 960 W, Qg - заряд затвора: 264 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 220 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 1 kV, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Вид монтажа: Chassis Mount, Время нарастания: 300 ns, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HyperFET, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 10, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: SOT-227-4, Количество элементов на ИС: 1, Конфигурация транзистора: Одинарный, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 В, +30 В, Максимальное напряжение сток-исток: 1000 В, Максимальное пороговое напряжение включения: 6.5V, Максимальное рассеяние мощности: 960 Вт, Максимальный непрерывный ток стока: 38 A, Материал транзистора: Кремний, Минимальная рабочая температура: -55 C, Номер канала: Поднятие, Страна происхождения: US, Тип канала: N, Тип корпуса: SOT-227B, Тип монтажа: Монтаж на панель, Типичный заряд затвора при Vgs: 264 нКл при 10 В, Число контактов: 4, Ширина: 25.07мм, Вес, г: 37, Бренд: Ixys Corporation
