Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 16.13мм, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: IXYS, Maximum Continuous Drain Current: 98 A, Package Type: PLUS247, Maximum Power Dissipation: 1.3 kW, Серия: HiperFET, Polar3, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 5.21mm, Maximum Gate Threshold Voltage: 5V, Высота: 21.34mm, Maximum Drain Source Resistance: 50 m?, Maximum Drain Source Voltage: 500 V, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 197 nC @ 10 V, Transistor Material: Кремний, Channel Mode: Поднятие, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -30 В, +30 В, Id - непрерывный ток утечки: 98 A, Pd - рассеивание мощности: 1.3 kW, Qg - заряд затвора: 197 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 50 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 500 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 8 ns, Время спада: 6 ns, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HyperFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 96 S, 58 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Вес, г: 7, Бренд: Ixys Corporation
