Pd - рассеивание мощности: 190 W, Вид монтажа: Through Hole, Высота: 21.46 mm, Диапазон рабочих температур: 55 C to + 150 C, Длина: 16.26 mm, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.7 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 4.2 V, Непрерывный коллекторный ток: 16 A, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 16 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 40 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXGH16N170, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247AD-3, Ширина: 5.3 mm, Вес, г: 6.5, Бренд: Ixys Corporation
