Pd - рассеивание мощности: 300 W, Вид монтажа: Through Hole, Высота: 21.46 mm, Диапазон рабочих температур: 55 C to + 150 C, Длина: 16.26 mm, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: GenX3, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.18 V, Непрерывный коллекторный ток: 120 A, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 120 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 300 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXGH48N60, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247AD-3, Ширина: 5.3 mm, Base Product Number: IXG*48N60 ->, California Prop 65: Warning Information, Current - Collector (Ic) (Max): 120A, Current - Collector Pulsed (Icm): 300A, ECCN: EAR99, Gate Charge: 110nC, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: PT, Input Type: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-247-3, Power - Max: 300W, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: GenX3в„ў ->, Supplier Device Package: TO-247AD (IXGH), Switching Energy: 950ВµJ (on), 2.9mJ (off), Td (on/off) @ 25В°C: 25ns/334ns, Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600V, Вес, г: 6.5, Бренд: Ixys Corporation
