Id - непрерывный ток утечки: 16 A, Pd - рассеивание мощности: 695 W, Qg - заряд затвора: 208 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 80 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 200 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 130 ns, Время спада: 135 ns, Высота: 21.46 mm, Длина: 16.26 mm, Канальный режим: Depletion, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 7 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXTH16N20D2, Технология: Si, Тип: Depletion Mode MOSFET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 270 ns, Типичное время задержки при включении: 46 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Ширина: 5.3 mm, California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 16A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, ECCN: EAR99, FET Feature: Depletion Mode, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208nC @ 5V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-247-3, Power Dissipation (Max): 695W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 0V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation
