Pd - рассеивание мощности: 125 W, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: XPT, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 900 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.15 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 20 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 20 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: IXYP8N90, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation
