Pd - рассеивание мощности: 650 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: XPT, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 175 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 350 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: Trench - 650V - 1200V GenX52, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-268HV-3, Чувствительный к влажности: Yes, Бренд: Ixys Corporation
