Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 1.67 A, Тип корпуса: SOT-223, Максимальное рассеяние мощности: 3 Вт, Тип монтажа: Surface Mount, Ширина: 3.7мм, Высота: 1.65мм, Размеры: 6.7 x 3.7 x 1.65мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 6.7мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 8 нс, Производитель: DiodesZetex, Типичное время задержки выключения: 30 нс, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 3V, Максимальное сопротивление сток-исток: 540 m?, Максимальное напряжение сток-исток: 100 В, Число контактов: 3+Tab, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 350 pF@ 25 V, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 1.67 A, Pd - рассеивание мощности: 3 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 750 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 25 ns, Время спада: 16 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 1000, Серия: ZVN4310, Технология: Si, Тип: FET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки при включении: 8 ns, Торговая марка: Diodes Incorporated, Упаковка / блок: SOT-223-3, Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C: 1.67A, Power Dissipation-Max (Ta=25В°C): 3W, Rds On - Drain-Source Resistance: 540mО© @ 3.3A,10V, Transistor Polarity: N Channel, Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100V, Vgs - Gate-Source Voltage: 3V @ 1mA, Вес, г: 0.1, Бренд: DIODES INC.
