Максимальная Рабочая Температура: 175 C, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный, Стандарты Автомобильной Промышленности: AEC-Q101, Напряжение Коллектор-Эмиттер: 650В, Стиль Корпуса Транзистора: to-247, Рассеиваемая Мощность: 267Вт, DC Ток Коллектора: 80А, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 1.85В, Pd - рассеивание мощности: 267 W, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Квалификация: AEC-Q101, Конфигурация: Single, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.85 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 80 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 80 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 450, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA, Торговая марка: ON Semiconductor, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Вес, г: 150, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
