Pd - рассеивание мощности: 830 W, Вид монтажа: Chassis Mount, Высота: 9.6 mm, Диапазон рабочих температур: 55 C to + 150 C, Длина: 38.2 mm, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Коммерческое обозначение: Thunderbolt IGBT, ISOTOP, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 3.2 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 170 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 1, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 900 nA, Торговая марка: Microchip / Microsemi, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: SOT-227-4, Ширина: 25.4 mm, Вес, г: 30, Бренд: Microchip Technology
