Pd - рассеивание мощности: 347 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 75 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 1, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 500 nA, Торговая марка: Microsemi, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: ISOTOP-4, Бренд: Microchip Technology
