Pd - рассеивание мощности: 625 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.5 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 149 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Carbide Modules, Размер фабричной упаковки: 1, Технология: SiC, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Microchip / Microsemi, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: ISOTOP-4, Base Product Number: APT60GF120 ->, Configuration: Single, Current - Collector (Ic) (Max): 149A, Current - Collector Cutoff (Max): 350ВµA, ECCN: EAR99, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: NPT, Input: Standard, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.08nF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Chassis Mount, NTC Thermistor: No, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: ISOTOP, Power - Max: 625W, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: RoHS Compliant, Supplier Device Package: ISOTOPВ®, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200V, Бренд: Microchip Technology
