Pd - рассеивание мощности: 176 W, Вид монтажа: Chassis Mount, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Максимальная рабочая температура: + 100 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 80 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 1, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 600 nA, Торговая марка: Microsemi, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: SP1-12, Base Product Number: APTGT50 ->, Configuration: Three Level Inverter, Current - Collector (Ic) (Max): 80A, Current - Collector Cutoff (Max): 250ВµA, ECCN: EAR99, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: Trench Field Stop, Input: Standard, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Chassis Mount, NTC Thermistor: No, Operating Temperature: -40В°C ~ 175В°C (TJ), Package: Bulk, Package / Case: SP1, Power - Max: 176W, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: RoHS Compliant, Supplier Device Package: SP1, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600V, Вес, г: 80, Бренд: Microchip Technology
