Pd - рассеивание мощности: 250 W, Вид монтажа: Chassis Mount, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 100 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 100 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 1, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 600 nA, Торговая марка: Microsemi, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: SP1-12, Вес, г: 80, Бренд: Microchip Technology
