Материал: кремний, Кол-во диодов в корпусе: 1, Конфигурация диода: Одиночный, Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr: 30 в, Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV): 200 мА (DC), Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If: 800 мВ при 100 мА, Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr: 2 мкА при 25 В, Емкость при Vr, F: 10 пФ при 1 В, 1 МГц, Рабочая температура PN-прехода: -40…+125 C, Корпус: SOD-110, Вес, г: 0.05, Бренд: NXP Semiconductor
