Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0,65 В, Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальная рабочая частота: 200 МГц, Количество элементов на ИС: 1, Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер: 0,85 В, Длина: 3мм, Максимальное напряжение коллектор-база: -50 V, Transistor Configuration: Одинарный, Производитель: DiodesZetex, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 45 В, Тип корпуса: SOT-23, Максимальное рассеяние мощности: 300 мВт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: -65 °C, Ширина: 1.4мм, Максимальный пост. ток коллектора: 100 mA, Тип транзистора: PNP, Высота: 1.1мм, Число контактов: 3, Размеры: 3 x 1.4 x 1.1мм, Максимальное напряжение эмиттер-база: -5 V, Минимальный коэффициент усиления по постоянному току: 220, Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: -0.65 V, Number of Elements per Chip: 1, Maximum Base Emitter Saturation Voltage: -0.85 V, Maximum Collector Base Voltage: -50 V, Brand: DiodesZetex, Maximum Power Dissipation: 300 mW, Mounting Type: Поверхностный монтаж, Width: 1.4мм, Maximum DC Collector Current: 100 mA, Transistor Type: PNP, Pin Count: 3, Dimensions: 3 x 1.4 x 1.1mm, Maximum Emitter Base Voltage: -5 V, Minimum DC Current Gain: 220, Pd - рассеивание мощности: 300 mW, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT, Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 220 at -2 mA, - 5 V, Конфигурация: Single, Максимальный постоянный ток коллектора: 200 mA, Напряжение коллектор-база (VCBO): 50 V, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 45 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 650 mV, Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V, Подкатегория: Transistors, Полярность транзистора: PNP, Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 200 MHz, Размер фабричной упаковки: 3000, Серия: BC857B, Тип продукта: BJTs - Bipolar Transistors, Торговая марка: Diodes Incorporated, Упаковка / блок: SOT-23-3, Base Product Number: BC857 ->, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, ECCN: EAR99, Frequency - Transition: 200MHz, HTSUS: 8541.21.0075, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Operating Temperature: -65В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Power - Max: 300mW, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V, Collector- Base Voltage VCBO: -50 V, Collector- Emitter Voltage VCEO Max: -45 V, Collector-Emitter Saturation Voltage: -650 mV, Configuration: Single, DC Collector/Base Gain Hfe Min: 220 at-2 mA, -5 V, Emitter- Base Voltage VEBO: -5 V, Factory Pack Quantity: 3000, Gain Bandwidth Product FT: 200 MHz, Manufacturer: Diodes Incorporated, Maximum Operating Temperature: +150 C, Minimum Operating Temperature: -65 C, Mounting Style: SMD/SMT, Packaging: Cut Tape or Reel, Pd - Power Dissipation: 300 mW, Product Category: Bipolar Transistors-BJT, Product Type: BJTs-Bipolar Transistors, Series: BC857B, Subcategory: Transistors, Transistor Polarity: PNP, Вес, г: 0.036, Бренд: DIODES INC.
