Pd - рассеивание мощности: 450 mW, Вид монтажа: SMD/SMT, Диапазон рабочих температур: 40 C to + 150 C, Другие названия товара №: 934067715115, Категория продукта: РЧ биполярные транзисторы, Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 60, Конфигурация: Single, Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 200, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальный постоянный ток коллектора: 50 mA, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-база (VCBO): 24 V, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 16 V, Напряжение эмиттер-база (VEBO): 2 V, Непрерывный коллекторный ток: 5 mA, Подкатегория: Transistors, Полярность транзистора: NPN, Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 10 GHz, Рабочая частота: 900 MHz, Размер фабричной упаковки: 3000, Технология: Si, Тип: Wideband RF Transistor, Тип продукта: RF Bipolar Transistors, Тип транзистора: Bipolar Wideband, Торговая марка: NXP Semiconductors, Упаковка / блок: SOT363-6, Вес, г: 0.0055, Бренд: NXP Semiconductor
