Структура: npn, Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 24, Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 12, Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0,05, Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 60, Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 11000, Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0,45, Корпус: sot-23, Максимальная Рабочая Температура: 150 C, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Стандарты Автомобильной Промышленности: AEC-Q101, Напряжение Коллектор-Эмиттер: 12в, Рассеиваемая Мощность: 450мВт, Полярность Транзистора: npn, DC Ток Коллектора: 50мА, Корпус РЧ Транзистора: sot-23, DC Усиление Тока hFE: 60hFE, Частота Перехода ft: 11ГГц, Вес, г: 0.05, Бренд: NXP Semiconductor
