Maximum Operating Temperature: +150 °C, Maximum Continuous Drain Current: 90 мА, Package Type: SOT-23, Максимальное рассеяние мощности: 330 мВт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 1.4мм, Height: 1мм, Transistor Material: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 3.05мм, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: DiodesZetex, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Максимальное пороговое напряжение включения: 3.5V, Максимальное сопротивление сток-исток: 14 ?, Maximum Drain Source Voltage: 45 В, Pin Count: 3, Номер канала: Поднятие, Тип канала: P, Maximum Gate Source Voltage: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 90 mA, Pd - рассеивание мощности: 330 mW (1/3 W), Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 9 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 45 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 10 ns, Время спада: 10 ns, Высота: 1 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: P-Channel, Продукт: MOSFET Small Signal, Размер фабричной упаковки: 3000, Серия: BS250, Технология: Si, Тип: FET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 P-Channel, Типичное время задержки выключения: 10 ns, Типичное время задержки при включении: 10 ns, Торговая марка: Diodes Incorporated, Упаковка / блок: SOT-23-3, Вес, г: 0.01, Бренд: DIODES INC.
