Максимальная рабочая температура: +150 °C, Количество элементов на ИС: 1, Length: 3мм, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: Nexperia, Максимальный непрерывный ток стока: 360 мА, Тип корпуса: SOT-23, Максимальное рассеяние мощности: 420 мВт, Mounting Type: Поверхностный монтаж, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 1.4мм, Максимальное пороговое напряжение включения: 1.5V, Высота: 1мм, Minimum Gate Threshold Voltage: 0.9V, Maximum Drain Source Resistance: 1,6 ?, Maximum Drain Source Voltage: 60 В, Число контактов: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V, Материал транзистора: Кремний, Channel Mode: Поднятие, Тип канала: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 В, +20 В, Вес, г: 0.05, Бренд: NXP Semiconductor
