Id - непрерывный ток утечки: 190 mA, Pd - рассеивание мощности: 830 mW, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 10 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Высота: 1 mm, Длина: 3 mm, Другие названия товара №: 933733110215, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 65 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Продукт: MOSFET Small Signal, Размер фабричной упаковки: 3000, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel MOSFET, Торговая марка: Nexperia, Упаковка / блок: SOT-23-3, Ширина: 1.4 mm, Вес, г: 0.05, Бренд: NXP Semiconductor
