Максимальное обратное напряжение Uобр.,В: 500, Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В: 500, Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А: 4, Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А: 35, Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В: 1.8, Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А: 0.2, Отпирающее напряжение управления,соответствующее минимальному постоянному отпирающему току Uу.от.,В: 1.5, Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс: 50, Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс: 50, Время включения tвкл.,мкс: 2, Рабочая температура,С: -40…125, Корпус: sot82, Вес, г: 1.3, Бренд: NXP Semiconductor
