Структура: n-канал, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30, Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/15А, 10В, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75, Крутизна характеристики, S: 8, Корпус: TO-220AB, Пороговое напряжение на затворе: 4, Вес, г: 2.5, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
