Architecture: Flow-Through, Automotive: No, Chip Density (bit): 18M, Data Rate Architecture: SDR, ECCN (US): 3A991b.2.a., EU RoHS: Compliant, Lead Shape: Gull-wing, Max. Access Time (ns): 8.5, Maximum Clock Rate (MHz): 100, Maximum Operating Supply Voltage (V): 3.6, Maximum Operating Temperature (°C): 70, Minimum Operating Supply Voltage (V): 3.135, Mounting: Surface Mount, Number of Bits/Word (bit): 36, Number of Ports: 4, Number of Words: 512K, Operating Current (mA): 134, Packaging: Tray, Part Status: Active, PCB changed: 100, Pin Count: 100, PPAP: No, Process Technology: CMOS, Standard Package Name: QFP, Supplier Package: TQFP, Supplier Temperature Grade: Commercial, Timing Type: Synchronous, Typical Operating Supply Voltage (V): 3.3, Время доступа: 8.5 ns, Категория продукта: Стат. ОЗУ, Максимальная рабочая температура: + 70 C, Максимальная тактовая частота: 100 MHz, Минимальная рабочая температура: 0 C, Организация: 512 k x 36, Подкатегория: Memory Data Storage, Размер памяти: 18 Mbit, Размер фабричной упаковки: 72, Тип: Synchronous, Тип памяти: Volatile, Тип продукта: SRAM, Торговая марка: Cypress Semiconductor, Упаковка: Tray, Чувствительный к влажности: Yes, Бренд: Cypress Semiconductor
