Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 2.2mm, Transistor Configuration: Single, Brand: DiodesZetex, Maximum Continuous Drain Current: 300 mA, Package Type: SOT-323 (SC-70), Maximum Power Dissipation: 432 mW, Mounting Type: Surface Mount, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 1.35mm, Maximum Gate Threshold Voltage: 2V, Height: 1mm, Maximum Drain Source Resistance: 4 ?, Maximum Drain Source Voltage: 60 V, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V, Transistor Material: Si, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V, Id - непрерывный ток утечки: 300 mA, Pd - рассеивание мощности: 300 mW, Qg - заряд затвора: 870 pC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 3 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 2.8 ns, Время спада: 7.3 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 80 mS, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 3000, Серия: DMN65, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 12.6 ns, Типичное время задержки при включении: 2.7 ns, Торговая марка: Diodes Incorporated, Упаковка / блок: SOT-323-3, Configuration: Single, Factory Pack Quantity: 3000, Fall Time: 7.3 ns, Forward Transconductance - Min: 80 mS, Id - Continuous Drain Current: 300 mA, Manufacturer: Diodes Incorporated, Mounting Style: SMD/SMT, Number Of Channels: 1 Channel, Package / Case: SOT-323-3, Packaging: Cut Tape or Reel, Pd - Power Dissipation: 300 mW, Product Category: MOSFET, Product Type: MOSFET, Qg - Gate Charge: 870 pC, Rds On - Drain-Source Resistance: 3 Ohms, Rise Time: 2.8 ns, Series: DMN65, Subcategory: MOSFETs, Technology: Si, Transistor Polarity: N-Channel, Transistor Type: 1 N-Channel, Typical Turn-Off Delay Time: 12.6 ns, Typical Turn-On Delay Time: 2.7 ns, Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V, Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V, Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V, Вес, г: 0.1, Бренд: DIODES INC.
