Конфигурация: half-bridge, Тип канала: синхронный, Кол-во каналов: 2, Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET, Напряжение питания, В: 15…20, Логическое напряжение (VIL), В: 1.2, Логическое напряжение (VIH), В: 2.9, Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35, Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65, Тип входа: неинвертирующий, Максимальное напряжение смещения, В: 600, Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50, Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30, Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ), Корпус: soic-8 (0.154 inch), Вес, г: 0.15, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
