Структура: n-канал, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16, Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 30, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.199 Ом/8А, 10В, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 134, Крутизна характеристики, S: 13, Корпус: to-220, Пороговое напряжение на затворе: 2…4, Вес, г: 5, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
