Структура: n-канал, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10.8, Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 30, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.299 Ом/5.4А, 10В, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 32.1, Крутизна характеристики, S: 13.5, Корпус: TO-220F, Пороговое напряжение на затворе: 2…4, Вес, г: 2, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
