Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 24 A, Тип корпуса: TO-3PN, Максимальное рассеяние мощности: 270 W, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 5мм, Высота: 20.1мм, Размеры: 15.8 x 5 x 20.1мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 15.8мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 47 ns, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 164 нс, Серия: UniFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 3V, Максимальное сопротивление сток-исток: 190 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 500 V, Число контактов: 2, Типичный заряд затвора при Vgs: 65 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 3120 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, Вес, г: 6.5, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
