Структура: n-канал, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59, Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 30, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 Ом/29.5А, 10В, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 500, Крутизна характеристики, S: 52, Корпус: TO-3PN, Вес, г: 6.5, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
