Id - непрерывный ток утечки: 2.5 A, Pd - рассеивание мощности: 40 W, Qg - заряд затвора: 6.2 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.1 Ohms, Vds - напряение пробоя сток-исток: 500 V, Vgs - напряение затвор-исток: 25 V, + 25 V, Vgs th - пороговое напряение затвор-исток: 5 V, Вид монтаа: SMD/SMT, Время нарастания: 15 ns, Время спада: 17 ns, Высота: 2.39 mm, Длина: 6.73 mm, Канальный реим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 1.9 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 2500, Серия: FDD3N50NZ, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задерки выключения: 26 ns, Типичное время задерки при включении: 10 ns, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка / блок: TO-252-3, Ширина: 6.22 mm, Вес, г: 0.05, Бренд: ON Semiconductor
