Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 22 A, Тип корпуса: TO-220, Максимальное рассеяние мощности: 312,5 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.5мм, Высота: 9.2мм, Размеры: 9.9 x 4.5 x 9.2мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 9.9мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 22 ns, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 48 нс, Серия: UniFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 3V, Максимальное сопротивление сток-исток: 220 мОм, Максимальное напряжение сток-исток: 500 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 49 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 2456 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, Вес, г: 2.5, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
