Структура: N/P-каналы, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.2/4.4, Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/6.2А, 10В/0.046 при 4.4А, 10В, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2, Крутизна характеристики, S: 21/12, Корпус: soic-8, Пороговое напряжение на затворе: 1…3, Вес, г: 0.15, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
