Структура: p-канал, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3, Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 25, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/5.3А, 10В, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5, Крутизна характеристики, S: 10, Корпус: soic-8, Пороговое напряжение на затворе: -1…-3, Вес, г: 0.15, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
