Технология/семейство: npt trench, Наличие встроенного диода: да, Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200, Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30, Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45, Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4, Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 186, Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15, Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160, Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150, Корпус: to-3p, Вес, г: 6.5, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
