Pd - рассеивание мощности: 375 W, Вид монтаа: Through Hole, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряение насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 150 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 450, Серия: FGH75T65SQDTL4, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Вес, г: 6.289, Бренд: ON Semiconductor
