Maximum Operating Temperature: +150 °C, Maximum Continuous Drain Current: 9 А, Тип корпуса: DPAK (TO-252), Maximum Power Dissipation: 2,5 Вт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Width: 6.1мм, Высота: 2.3мм, Transistor Material: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 6.6мм, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: ON Semiconductor, Серия: QFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Минимальное пороговое напряжение включения: 1V, Максимальное сопротивление сток-исток: 280 м?, Maximum Drain Source Voltage: 200 В, Pin Count: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 16 нКл при 5 В, Номер канала: Поднятие, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 В, +20 В, Вес, г: 0.4, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
