Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 2 A, Тип корпуса: TO-220F, Максимальное рассеяние мощности: 23 W, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.7, Высота: 9.19мм, Размеры: 10.16 x 4.7 x 9.19мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.16мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 9 нс, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 24 ns, Серия: QFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 4.7 ?, Максимальное напряжение сток-исток: 600 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 8.5 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 180 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, Id - непрерывный ток утечки: 2 A, Pd - рассеивание мощности: 23 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 4.7 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 25 ns, Время спада: 28 ns, Другие названия товара №: FQPF2N60C_NL, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: QFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 5 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 1000, Технология: Si, Тип: MOSFET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки при включении: 9 ns, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220FP-3, Вес, г: 2.21, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
